中国首台5纳米光刻机是谁发明?中国首台5纳米光刻机是谁发明出来的!

在先进晶圆厂,28纳米以下的逻辑芯片制程,其所需要的EUV曝光数量随节点的迭代而逐渐增加,所以节点越先进,EUV光刻机所需数量越多。所以,28纳米以下的高级逻辑芯片,其光刻设备的投资额度,将随着逻辑节点的代差,指数级增加。

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比如,7纳米逻辑芯片晶圆厂光刻机投资中:

1,干式DUV光刻机的投资比例是10%,;

2,浸没式DUV光刻机的投资比例大约是50,;

3,数值孔径NA0.33的第一代EUV光刻机的比例是40%

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逻辑芯片晶圆厂不同芯片节点的光刻机需要投资比例

到了7纳米以下,先进逻辑芯片所需要的EUV光刻机的投资比例不断增加:

1,5纳米节点的EUV光刻机比例达到60%;

2,3纳米节点的EUV光刻机比例达到70%;

3,2纳米节点以下的EUV光刻机比例达到80%。

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当然,到了2纳米节点以下,有需要引入更加昂贵的第二代高NA0.55 EUV光刻机,这意味着2纳米逻辑节点以下,晶圆厂的EUV光刻机投资总额进一步增加。

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目前的顶尖芯片制造三强,台积电、三星英特尔,通过长达20年的高级逻辑芯片的市场化的迭代发展,获得了大量的利润,进一步刺激资本一代又一代地投入先进技术的开发,从而形成一个良性的循环。

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弯道超车”党看不见这些,他们整体呼喊着“弯道超车”的“商业模式”,无非是左右国家科技投入政策,将一笔又一笔的千亿规模的投资投入到他们的“弯道超车”的游戏模式中去罢了。

中国古语有云~~~杀鸡取卵,饮鸩止渴,就是指得这个“弯道超车”呀。

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我们要警惕最近有一些MCN机构艺人胡编乱造,为芯片造假翻案,并且大肆鼓吹各种“弯道超车”、“美国芯片没人要了”、“美国半导体要失业了”。

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这些“弯道超车”党的鼓吹、糊弄舆论,有可能导致我们国家大批投资化为泡影。

作为普通公民,我们应该更多的调查、学习先进科技的管理、组织模式,为国家出谋划策,同时对国家科技发展起到更好的监督作用,而不是浮夸沸腾、胡编乱造,将中国的舆论场变成了腐败的保护色!

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